深紫外UV-C LED方面又公開專利了

發(fā)布時間:2024-07-06 11:13 來源:螢光創(chuàng)新

怎么除藻對于養(yǎng)殖相關是一個很頭疼的問題,怎么去更好的解決這個問題呢?

某大學近期公開了一種除藻抑嗅結(jié)構及裝置,這一發(fā)明通過采用微納米曝氣單元改善水力條件,避免高濃度藻阻擋紫外穿透效果。

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這款裝置涉及水處理技術領域,包括太陽能板、浮標外殼、浸水套管、微納米曝氣單元、測藻單元和紫外LED發(fā)光單元,太陽能板分別與微納米曝氣單元、測藻單元和紫外LED發(fā)光單元電連接;太陽能板位于浮標外殼上;浮標外殼與浸水套管連接;微納米曝氣單元和測藻單元均位于浸水套管中,且微納米曝氣單元的一端和測藻單元的一端均與水體接觸;紫外LED發(fā)光單元包括若干紫外LED發(fā)光部件,若干紫外LED發(fā)光部件均設置在浸水套管中,且各紫外LED發(fā)光部件發(fā)射的光均朝向水體,以達成阻絕藻類成長的效果。

深紫外UV-C LED方面近期還公開了一項通照兩用的深紫外UV-C LED技術。

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此項技術包括從下到上依次排列分布的導電襯底、第一鍵合金屬層、第二鍵合金屬層、絕緣層、P接觸反射鏡金屬及保護層、p型GaN層、AlGaN多量子阱層、n型GaN層;嵌入式柱狀N電極沉積于嵌入式柱狀N電極通道內(nèi);嵌入式柱狀N電極的上表面與n型GaN層形成歐姆接觸;柱狀P電極沉積于柱狀P電極通道;柱狀P電極的底端位于LED芯片底部。

這一實用新型將柱狀P電極制作于LED芯片底部,避免了因制作電極而損失一部分發(fā)光面積,有效提升芯片的光輸出功率;同時,采用漸變Al組分結(jié)構的AlGaN多量子阱層,有效提高了內(nèi)量子效率和光輸出效率。

青島螢光紫外消殺產(chǎn)品主要包括空氣殺菌、表面殺菌、水殺菌、醫(yī)療殺菌等系列產(chǎn)品。公司擁有專業(yè)的博士后團隊,專注于紫外殺菌應用的研究,經(jīng)過多年深耕紫外行業(yè),公司獲得多項國家發(fā)明和實用新型專利。目前多款殺菌模組類產(chǎn)品已經(jīng)投入市場。更多詳細內(nèi)容可以瀏覽公司網(wǎng)站www.xiqiangdiesong.com聯(lián)系公司索取或者關注微信公眾號。

 

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